動力学サイクルプロセス：

insitu薄膜応力測定システムkSA MOS Film Stress Measurement System、別名insitu薄膜応力計またはinsitu薄膜応力計！
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非接触レーザーMOS技術を採用する、正確なサンプル表面応力分布の統計分析を行うことができるだけでなく、サンプル表面の2次元応力、曲率イメージング分析を行うこともできる、お客様は自分で定義して、任意の1つまたは1組のレーザースポットを使用して測定することができます。そして、この設計は常にすべてのアレイのレーザースポットが常に同じ周波数で運動したりスキャンしたりすることを保証し、それによって効果的に外部振動が試験結果に与える影響を回避し、同時に試験の解像度を高める、各種材質と厚さフィルムの応力分析に適している、

典型的なユーザー：Harvard University 2セット、Stanford University、Johns Hopkins University、Brown University 2セット、Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学、中国計量科学院など、半導体体制とマイクロエレクトロニクスメーカー（例えばIBM.、Seagate Research Center、Phillips Semiconductor、NEC、Nissan ARC、Nichia Glass Corporation）など、

関連製品：
*リアルタイムインサイチュフィルム応力計（kSA MOS Film Stress Tester）：同様にマルチビームMOS技術を採用し、各種真空蒸着装置に搭載することができる（例：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），薄膜成長過程における応力変化に対してリアルタイムのその場測定と2次元イメージング分析を行う、
*薄膜熱応力測定システム（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）
*薄膜応力測定システム（kSA MOS Film Stress Measurement System）

デバイス名：
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;

主な特徴：
1.MOSマルチビームセンサ技術、
2.シングルポート（サンプルの真上）とダブルポート（対称窓）のシステム設計
3.MOCVDに適合し、MBE, Sputter，PLD、蒸着システム等の各種真空薄膜堆積システム及び熱処理設備等、
4.薄膜応力異方性試験と分析機能、
5.成長速度及び膜厚測定；（オプション）
6.光学定数n&k測定、（オプション）
7.マルチ基板測定機能、（オプション）
8.基板回転追跡測定機能、（オプション）
9.リアルタイム光フィードバック制御技術、システム設置時に複数のテストポイントを設定することができる、
10.専門的な設計により測定丌が真空系振動の影響を受けることを免除した、

テスト機能：
1.リアルタイムその場フィルム応力測定
2.リアルタイムその場フィルム曲率測定
3.リアルタイムその場応力*フィルム厚さ曲線測定
4.リアルタイムインサイチュ薄膜成長全過程応力監視等